当地时间1月6日，美股存储板块狂飙，截至发稿，闪迪（SanDisk）大涨24%，为十个月以来的最大日内涨幅，美光科技涨近7%，再创历史新高。希捷科技、西部数据涨近10%。 消息面上，据韩国经济日报，三星与海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价，今年一季度报价将较去年第四季度上涨60%-70%。 一位半导体行业人士表示：“客户也清楚，三星和SK在短期内很难迅速提升产能。”因此业内预计，即便是这么大的涨幅，客户也会接受。 “大型客户认为他们完全可以承受AI基础设施所需的支出。他们不太可能强烈反对DRAM价格上涨，因为在这些公司看来，实现基于推理的AI盈利更为重要。”市场研究公司DRAMeXchange如此分析，并将今年第一季度服务器用DRAM固定交易价格的涨幅预期上调至60%至65%。 眼下，内存厂商正集中精力生产HBM3E，导致服务器DRAM产能遭受积压，供需鸿沟逐渐拉大。同时谷歌和微软等公司正在拓展基于推理的AI服务业务，推动服务器通用DRAM需求激增；正在为客户开发ASIC的博通，也在增加HBM3E订单，进一步加剧DRAM短缺。 在这种情况下，存储的涨价趋势或将贯穿整个2026年。已有多家投行预测，按全年口径计算，今年服务器DRAM的平均销售价格（ASP）最高将同比上涨144%，并相应上调了业绩预期。花旗预计，三星电子今年营业利润将达155万亿韩元，较去年增长253%；摩根士丹利则预计，SK海力士今年营业利润为148万亿韩元，较去年激增224%。 中信建投证券电子首席分析师刘双锋认为，在数据中心需求爆发、存储芯片供应持续趋紧，价格大幅上涨的背景下，美光交出一份明显强于预期的FY26Q1财报，并给出强劲的第二财季指引。预计存储芯片供应短缺将在2026年持续并维持更久，美光为代表的存储IDM厂商将大为受益。 据21财经援引时代周报报道，全球DRAM（内存）市场正经历一轮“史上最强”的涨价周期。自2025年7月以来，DRAM价格持续快速上行，多数品类涨幅超过100%。 PCPartPicker数据显示，DDR4（内存）与DDR5（内存）年内已涨价2—3倍。行业人士表示：“内存几乎一天一个价，256G的DDR5服务器内存单条价格已超4万元。如果一次采购一盒100根就是400万，价值已超过上海不少房产。”